144ページ8行目
誤: n<5のときは\lambda<0
正: n<5のときは\lambda>0
147ページ23行目
誤: これと上述の変換エネルギーJ
正: これと上述の交換エネルギーJ
157ページ文献[4]
誤: K. W. H. Steavens
正: K. W. H. Stevens
誤: B. Bleany and K. W. H. Steavens
正: B. Bleaney and K. W. H. Stevens
3.1強磁性分子磁場理論
全般
相変わらずスピン角運動量の方向と磁気モーメントの方向に関する混乱が見られる。ここでは\boldsymbol{S}と\boldsymbol{M}が平行であると暗に定義していると考えるよりほかにない。
3.2反強磁性の分子磁場理論
172ページ式(3.34)
誤: \frac{\theta_{p}}{T_{\rm{N}}}=\frac{A_{1}+A_{2}}{A_{1}-A_{2}}
正: -\frac{\theta_{p}}{T_{\rm{N}}}=\frac{A_{1}+A_{2}}{A_{1}-A_{2}}
173ページ式(3.35)
誤: M=M_{\alpha}-M_{\beta}=\frac{1}{2}Ng\mu_{\rm{B}}S[B_{S}(x_{\alpha})-B_{S}(x_{\beta})]
正: M=M_{\alpha}+M_{\beta}=\frac{1}{2}Ng\mu_{\rm{B}}S[B_{S}(x_{\alpha})+B_{S}(x_{\beta})]
173ページ式(3.36)
誤: M=Ng^{2}\mu^{2}_{\rm{B}}S^{2}\{2H+(A_{1}-A_{2})M\}\frac{B'_{S}(x_{0})}{2k_{\rm{B}}T}
正: M=Ng^{2}\mu^{2}_{\rm{B}}S^{2}\{2H-(A_{1}+A_{2})M\}\frac{B'_{S}(x_{0})}{2k_{\rm{B}}T}
174ページ式(3.37)
誤: \chi_{//}=\frac{2}{A_{1}}\frac{1}{1+\frac{T}{T_{\rm{N}}}(S+1)(3S)^{-1}\{B'_{S}[g\mu_{\rm{B}}S(A_{1}-A_{2})M(k_{\rm{B}}T)^{-1}]\}^{-1}}
正: \chi_{//}=\frac{2}{A_{1}+A_{2}}\frac{1}{1+\frac{T}{\theta_{p}}(S+1)(3S)^{-1}\{B'_{S}[g\mu_{\rm{B}}S(A_{1}-A_{2})M(k_{\rm{B}}T)^{-1}]\}^{-1}}
183ページ7行目
誤: CsNiCl_{2}
3.3フェリ磁性の分子磁場理論
184ページ式(3.47)
誤: M_{i}=\frac{C_{i}}{T}(\sum_{j=1}^{n}A_{ij}M_{j}+H)
正: M_{i}=\frac{C_{i}}{T}(-\sum_{j=1}^{n}A_{ij}M_{j}+H)
184ページ式(3.49)
誤: M_{i}=M_{i0}B_{Si}(\frac{g\mu_{\rm{B}}H_{i}}{k_{\rm{B}}T})
正: M_{i}=M_{i0}B_{Si}(\frac{g\mu_{\rm{B}}H_{i}S_{i}}{k_{\rm{B}}T})
186ページ3行目
誤: M_{\rm{B}}-M_{\rm{A}}
正: M_{\rm{B}}+M_{\rm{A}}
187ページ式(3.55)
誤: M(T)=M_{\rm{A}}(T)-M_{\rm{B}}(T)
正: M(T)=M_{\rm{A}}(T)+M_{\rm{B}}(T)
189ページ式(3.57)
誤: a_{ij}=\frac{n(2z_{ij}J_{ij})}{Ng^{2}\mu^{2}_{\rm{B}}}
正: a_{ij}=-\frac{n(2z_{ij}J_{ij})}{Ng^{2}\mu^{2}_{\rm{B}}}
誤: M_{i}=\frac{N}{n}g\mu_{\rm{B}}S_{i}
正: M_{i}=\frac{N}{n}g\mu_{\rm{B}}S_{i}B_{S_{i}}(\frac{g\mu_{\rm{B}}H_{i}S_{i}}{k_{\rm{B}}T})
3.4安定なスピン構造の決定
200ページ式(3.72)
誤: E(\boldsymbol{q})=-NS^{2}\mathscr{J}(\boldsymbol{q})
正: E(\boldsymbol{q})=-2NS^{2}\mathscr{J}(\boldsymbol{q})
203ページ式(3.77)
誤: \langle S_{n}\rangle=\langle S\rangle=SB_{S}[\frac{2(\mathscr{J}(\theta_{0})\langle S\rangle+g\mu_{\rm{B}}H)}{k_{\rm{B}}T}]
正: \langle S_{n}\rangle=\langle S\rangle=SB_{S}[\frac{(2\mathscr{J}(\theta_{0})\langle S\rangle+g\mu_{\rm{B}}H)S}{k_{\rm{B}}T}]
4.5異方的交換相互作用
251ページ3行目
誤: 第1章で述べたように
正: 2.2.3で述べたように
251ページ5行目
誤: 場合によってはその基底状態(縮退)に軌道運動量\boldsymbol{l}を残す
正: 場合によってはその基底状態(縮退)に軌道角運動量\boldsymbol{l}を残す
4.6反対称交換相互作用
255ページ式(4.35)
誤: [\boldsymbol{S}_{1}(\boldsymbol{S}_{1}\cdot \boldsymbol{S}_{2})]=-i\boldsymbol{S}_{1}\times \boldsymbol{S}_{2}
正: [\boldsymbol{S}_{1}, (\boldsymbol{S}_{1}\cdot \boldsymbol{S}_{2})]=-i\boldsymbol{S}_{1}\times \boldsymbol{S}_{2}
256ページ4-12図(iv)
\boldsymbol{D}ベクトルの向きが正しくない。257ページ6行目にあるように\boldsymbol{D}\perp2回軸である。図中の\boldsymbol{D}ベクトルはA-Bボンド方向に平行に描かれているが正しくは2回軸に垂直な平面内の一般的な方向を向いているべきである。
4.7 2重交換相互作用
266ページ14行目
誤: c = \cos \varphi
正: c = \cos \theta
物理定数表
電子の質量
誤: 9.1095\times 10^{-34} kg
正: 9.1095\times 10^{-31} kg
補足: より正確には9.10938356\times10^{-31} kg
化合物磁性 遍歴電子系 (安達健五 裳華房)
0.1自由電子と静的物性
20ページ式(0.57)
誤: \Theta(\theta)\Phi(\varphi)=\sqrt{\frac{2l+1}{2}\frac{(l-|m|)!}{(l+|m|)!}}P^{m}_{l}(\cos \theta)\frac{1}{\sqrt{2\pi}}e^{im\varphi}
正: \Theta(\theta)\Phi(\varphi)=(-1)^{(m+|m|)/2}\sqrt{\frac{2l+1}{2}\frac{(l-|m|)!}{(l+|m|)!}}P^{|m|}_{l}(\cos \theta)\frac{1}{\sqrt{2\pi}}e^{im\varphi}
21ページ11行目
誤: \psi_{k}(r,\theta,\varphi)=\sum_{l=0}^{\infty}\sum_{m=-l}^{l}P_{l}(kr)P^{m}_{l}(\cos\theta)e^{im\varphi}
正: \psi_{k}(r,\theta,\varphi)=\sum_{l=0}^{\infty}\sum_{m=-l}^{l}P_{l}(kr)P^{|m|}_{l}(\cos\theta)e^{im\varphi}
21ページ13行目
誤: P^{m}_{l}(\cos\theta)
正: P^{|m|}_{l}(\cos\theta)
0.3周期的電場とエネルギーバンド形成
48ページ11行目
誤: w_{n}(\boldsymbol{r})=w_{n}(\boldsymbol{r}-\boldsymbol{R}_{n})の並進性は\psi_{k}(\boldsymbol{r})の並進性から証明される。
正: w_{n}(\boldsymbol{r})にそのような並進性は存在しない。
49ページ式(0.109)
誤: =\sum_{\boldsymbol{R}_{m}}\varepsilon_{\nu}(\boldsymbol{R}_{m}-\boldsymbol{R}_{n})w_{\nu}(\boldsymbol{r}-\boldsymbol{R}_n)
正: =\sum_{\boldsymbol{R}_{m}}\varepsilon_{\nu}(\boldsymbol{R}_{m}-\boldsymbol{R}_{n})w_{\nu}(\boldsymbol{r}-\boldsymbol{R}_m)
49ページ式(0.111)
誤: \int_{V_{0}}\psi^{*}_{k}(\boldsymbol{R}_{m})\psi_{k}(\boldsymbol{R}_{n})d\boldsymbol{r}=
正: \int_{V_{0}}\psi^{*}_{k}(\boldsymbol{r})\psi_{k}(\boldsymbol{r})d\boldsymbol{r}=
49ページ16行目
誤: \int_{V_{0}}\psi^{*}_{k}(\boldsymbol{r}-\boldsymbol{R}_{l})\psi_{k}(\boldsymbol{r})d\boldsymbol{r}=
正: \int_{V_{0}}\psi^{*}_{k}(\boldsymbol{r})\psi_{k}(\boldsymbol{r})d\boldsymbol{r}=
1.5磁性体の電気抵抗
143ページ8行目
誤: この種の磁性体の抵抗\rho_{\rm{mag}}(T)はつぎで与えられる^{[26]}。
正: 補足参照。
補足: Ref. [26]に式(1.100)のような表式は与えられていない。続く段落でGdNiに関する議論をしておりそこでRef. [27]を引用している。Ref. [27]内では確かに抵抗に関する議論でRef. [26]を引用しており本文もこれに準じたものと思われる。しかしRef. [26]に抵抗に関する議論はほとんどない。P. G. De Gennes, and J. Friedel J. Phys. Chem. Solids 4, 71 (1958)の式(4.3)およびT. Kasuya PTP 16, 58 (1956)の式(14)がこれに類似しているが一致はしない。T. van Peski-Tinbergen, and A. J. Dekker Physica 29, 917 (1963)の式(5-5)とそれに関する議論も参照。局在スピンをイジングスピンとし、伝導電子による局在スピンの反転過程(非弾性散乱)が強い異方性のため禁止されるとするならば式(1.100)を再現する。
144ページ式(1.102)
誤: \langle \boldsymbol{S}^{2}_{\boldsymbol{q}}\rangle=\frac{1}{N}\sum_{\boldsymbol{R}_{ij}}\langle \boldsymbol{S}_{i}\cdot \boldsymbol{S}_{i} \rangle \exp(-\boldsymbol{q}\cdot \boldsymbol{R}_{ij})
正(仮): \langle \boldsymbol{S}_{\boldsymbol{q}}\cdot \boldsymbol{S}_{-\boldsymbol{q}}\rangle=\frac{1}{N}\sum_{\boldsymbol{R}_{i}}\langle \boldsymbol{S}_{0}\cdot \boldsymbol{S}_{i} \rangle \exp(-i\boldsymbol{q}\cdot \boldsymbol{R}_{i})
補足: \expの肩にiがないこと、iを加えても左辺と右辺が一致しないこと、\sum _{\boldsymbol{R}_{ij}}の定義が不明なこと(iとj両方に関して和をとるのかどちらかを固定して和をとるのかによって結果が変わる)にすぐ気づく。せめて左辺は\langle \boldsymbol{S}_{\boldsymbol{q}}\cdot \boldsymbol{S}_{-\boldsymbol{q}}\rangleなのではないか。引用がないので正しい式が何であるべきかは不明。M. E. Fisher, and J. S. Langer Phys. Rev. Lett. 20, 665 (1968)が参考になるだろうか。
145ページ2行目
誤: \chi (T)=(1/k_{\rm{B}}T)\sum _{\boldsymbol{R}_{ij}}\langle \boldsymbol{S}_{i}\cdot \boldsymbol{S}_{j}\rangle-\langle \boldsymbol{S}_{i}\rangle^{2}
正: \chi (T)=((g\mu _{\rm{B}})^{2}/3k_{\rm{B}}T)\sum _{\boldsymbol{R}_{i}}\langle \boldsymbol{S}_{0}\cdot \boldsymbol{S}_{i}\rangle
145ページ5行目
誤: \kappaは遮藪定数
正: \kappaは遮蔽定数
5.1磁性原子不純物の磁気モーメントの出現
328ページ16行目
誤: 磁性電子
正: 磁性原子
329ページ5行目から6行目
誤: \psi(r,\theta)はつぎの形をもつ(0.1.4節)。
正: \psi(r,\theta)はつぎの形をもつ(0.1.6節)。
329ページ11行目
誤: -l(l+1)/r^{2}が付加される。
正: l(l+1)/r^{2}が付加される。
330ページ式(5.4)
誤: \phi_{l}(r)=A\sin(kr-\frac{\pi}{2}l+\delta_{l}(k_{0}))
正: \phi_{l}(r)=A\sin(k_{0}r-\frac{\pi}{2}l+\delta_{l}(k_{0}))
331ページ5行目
誤: \frac{1}{\pi}\sum_{\sigma}\sum_{l}(2l+1)[\delta _{l}(k_{\rm{F}})-\delta _{l}(0)]
正: \frac{1}{\pi}\sum_{\sigma}\sum_{l}(2l+1)\delta _{l}(k_{\rm{F}})
331ページ18行目から19行目
誤: ここで\delta_{l}\cong 0は束縛されないフリーな状態で、\delta_{l}\cong \piは不純物に束縛された状態を表す。
正: ここで\delta_{l}\cong 0 (\varepsilon \rightarrow 0)となる曲線ではそれを与える不純物ポテンシャルは\epsilon<0となるような束縛状態をつくらないことを表し、\delta_{l}\cong \pi (\varepsilon \rightarrow 0)となる曲線の場合は不純物のポテンシャルに束縛された状態が一つ存在することを表す。
補足: 元の文だとあたかも\delta_{l}の\varepsilonに関する曲線が束縛状態を表しているかのように書いてあるがそもそも散乱状態(\varepsilon>0)を考えているのだからそのようなことはない。\delta_{l}は散乱状態の位相のずれを表しており、\varepsilon \rightarrow 0収束値がそれでは表せない束縛状態の存在とその個数(\delta(0)/\pi)を示唆しているということである。モット・マッセイ 衝突の理論上I(吉岡書店), II章4節参照。Ref. [1]およびJ. Friedel, Phil. Mag. 43, 337 (1952)が分かりやすい。
332ページ式(5.9)
誤: \Delta R_{i}=\frac{2\pi c k_{F}}{ne^{2}}\int_{0}^{\pi}d\theta|f(\theta)|^{2}\sin\theta (1-\cos \theta)
正: \Delta R_{i}=\frac{2\pi c\hbar k_{F}}{ne^{2}}\int_{0}^{\pi}d\theta|f(\theta)|^{2}\sin\theta (1-\cos \theta)
誤: =\frac{2\pi ck_{F}}{ne^{2}}\sum_{l}l\sin ^{2}(\delta _{l+1}-\delta _{l})
正: =\frac{4\pi \hbar c}{ne^{2}k_{F}}\sum_{l}(l+1)\sin ^{2}(\delta _{l}-\delta _{l+1})
補足: 近藤淳 金属電子論(裳華房)5章参照。計算の詳細はP. de Faget de Casteljau, and J. Friedel, J. Phys. Radium 17, 27 (1956)が参考になる。
333ページ式(5.12)
誤: \phi_{l}(\varepsilon,r)=\frac{1}{r}\{A_{l}(\varepsilon)e^{ik_{0}r}+B_{l}(\varepsilon)e^{-ik_{0}r}\}
正: \phi_{l}(\varepsilon,r)=A_{l}(\varepsilon)e^{ik_{0}r}+B_{l}(\varepsilon)e^{-ik_{0}r}
固体物理の基礎 (アシュクロフト/マーミン 吉岡書店)
第9章 弱い周期ポテンシャルの中の電子
226ページ図9.11キャプション
誤: J. B. Ketterson and R. W. Stark, Phys. Rev. 156, 751 (1967)より
正: J. B. Ketterson and R. W. Stark, Phys. Rev. 156, 748 (1967)より
補足: 751ページは図9.11が掲載されているページ数としては正しい。
第14章 フェルミ面の測定
390ページ7行目
誤: 板が表皮侵入度に比べて薄いが平均自由行路に比べては厚い
正: 板が表皮侵入度に比べて厚いが平均自由行路に比べては薄い
補足: 原書該当部分"Suppose that the slab is thick compared with the skin depth, but not compared with the mean free path"
第15章 いくつかの金属のバンド構造
406ページ5行目から6行目
誤: 電子は透過あるいは反射光から受けとったエネルギーをすべて輻射する。
正: 電子は(入射光から)受けとったエネルギーをすべて透過あるいは反射光として輻射する。
補足: 原書該当部分"the electrons would radiate back all the energy so acquired in the form of transmitted and reflected radiation."
415ページ2行目から3行目
誤: もし形状がグロテスクならば、補償された金属の例になっていることになる。
正: たとえ形状がグロテスクだとしても、補償された金属の例になっていることになる。
補足: 譲歩・対照のifがふさわしいと思われる。多少形状がいびつではあるが、くらいの意味なのではないか。原書該当部分"so that beryllium furnishes a simple, if topologically grotesque, example of a compensated metal."
420ページ脚注18 2行目から3行目
誤: すなわち部分的につまった電子か正孔のバンドがある。
正: すなわち部分的につまった電子および正孔のバンドがある。
補足: 原書該当部分"there are partially filled electron and hole bands."
第17章 独立電子近似をこえて
478ページ14行目
誤: 励起状態のエネルギーは基底状態のエネルギーと\mathcal{E} (\boldsymbol{k}_{1})+...+\mathcal{E} (\boldsymbol{k}_{n})-\mathcal{E} (\boldsymbol{k}'_{1})-...-\mathcal{E} (\boldsymbol{k}'_{m})を加えたものである。ここで準粒子の\mathcal{E}と\boldsymbol{k}との関係は一般に決定するのは難しい。
正: (相互作用のない系の)励起状態のエネルギーは基底状態のエネルギーと\mathcal{E} (\boldsymbol{k}_{1})+...+\mathcal{E} (\boldsymbol{k}_{n})-\mathcal{E} (\boldsymbol{k}'_{1})-...-\mathcal{E} (\boldsymbol{k}'_{m})を加えたものである。ここで自由電子の場合、\mathcal{E}=\hbar ^{2}k^{2}/2mである。We now define quasiparticles implicitly, by asserting that the corresponding state of the interacting system is one in which m quasiparticles have been excited out of levels with wave vectors \boldsymbol{k}'_{1}...\boldsymbol{k}'_{m} and n excited quasiparticles are present in levels with wave vectors \boldsymbol{k}_{1}...\boldsymbol{k}_{n}. We say that the energy of the state is the ground-state energy plus \mathcal{E} (\boldsymbol{k}_{1})+...+\mathcal{E} (\boldsymbol{k}_{n})-\mathcal{E} (\boldsymbol{k}'_{1})-...-\mathcal{E} (\boldsymbol{k}'_{m}) where the quasiparticle \mathcal{E} vs. \boldsymbol{k} relation is, in general, quite difficult to determine (ここで準粒子の\mathcal{E}と\boldsymbol{k}との関係は一般に決定するのは難しい。).
補足: 原書に書かれているパラグラフが一つ丸ごとスキップされている。
上・II 索引
ivページ
マルテンサイト変態...394
補足: 原書の索引にはこの項目はある。
第24章 フォノン分散関係の測定
653ページ式(24.10)
誤: E'=E+\hbar \omega _{s}(\boldsymbol{k})
正: E'=E-\hbar \omega _{s}(\boldsymbol{k})
補足: 原書では正しい方の式が書かれている。
第25章 結晶における非調和効果
676ページ1行目から2行目
誤: 有限の温度ではこの項に各フォノン準位にその平均占有数の重みをつけた寄与で与えられるフォノン・エネルギーの負の体積微分がつけ加わる。
正: 有限温度ではこの項に各フォノン準位からの寄与としてフォノン・エネルギーの負の体積微分にその平均占有数の重みをつけたものがつけ加わる。
補足: 原書該当部分"At nonzero temperatures this must be supplemented with the negative volume derivative of the phonon energies, the contribution of each phonon level being weighted with its mean occupation number."
677ぺージ3行目から4行目
誤: なぜならば規準振動モードの振動数は結晶の平衡状態の体積によらないからである。
正: なぜならば規準振動モードの振動数は結晶の平衡状態の体積によるからである。
補足: なぜならばに該当する箇所はonly because~なので訳もこのままでは正確とは言えない。ここで言いたいことは、式(25.7)にのっとるとすると、規準振動モードの振動数が結晶の平衡状態の体積によるということを通してしか、平衡圧力は温度に対する依存性を示さないということである。
693ページ脚注26 6行目
誤: しかしフォノンは端で反射されるけれども、
正: しかしフォノンは端で反射されることもできるけれども、
695ページ図25.5 キャプション3行目から4行目
誤: 温度が上昇するにつれ、反転過程は次第に稀になり、
正: 温度が上昇するにつれ、反転過程は次第に稀でなくなり、
補足: 原書該当部分"As the temperature rises, umklapp processes become less rare,"
697ページ表25.3 衝突の際のエネルギー保存 フォノン気体
誤: 無
正: 有
補足: 原書でも有(Yes)となっている。
第26章 金属中のフォノン
711ページ5行目
誤: 2個の電子のエネルギーが\hbar \omega_{D}よりもずっと大きく異なるときは、
正: 2個の電子のエネルギー差が\hbar \omega_{D}よりもずっと大きく異なるときは、
718ページ図26.2 キャプション8行目
誤: \Theta _{D}より十分高温では
正: \Theta _{D}より十分低温では
第27章 絶縁体の誘電的性質
753ページ4行目
誤: (25.57)式
正: (27.57)式
付録L 調和結晶の量子論
769ページ11行目
誤: (L.2)
正: (23.2)
補足: 原書では正しい方が書かれている。
770ページ式(L.22)
誤: \boldsymbol{\epsilon}_{s}(\boldsymbol{k})\rightarrow \sqrt{M^{i}}\boldsymbol{\epsilon}^{i}_{s}(\boldsymbol{k}) (L.9)において
正: \boldsymbol{\epsilon}_{s}(\boldsymbol{k})\rightarrow \sqrt{M^{i}}\boldsymbol{\epsilon}^{i}_{s}(\boldsymbol{k}) (L.10)において
誤: \boldsymbol{\epsilon}_{s}(\boldsymbol{k})\rightarrow \sqrt{M^{i}}\boldsymbol{\epsilon}^{i}_{s}(\boldsymbol{k})^{*} (L.10)において
正: \boldsymbol{\epsilon}_{s}(\boldsymbol{k})\rightarrow \sqrt{M^{i}}\boldsymbol{\epsilon}^{i}_{s}(\boldsymbol{k})^{*} (L.9)において
補足: 原書でも誤の方が書かれている。
第28章 均質な半導体
820ページ8行目
誤: もしも温度が余り低くなければ(あるいは不純物濃度が余りに高くなければ)
正: もしも温度が余りに低くなれば(あるいは不純物濃度が余りに高くなれば)
補足: さらに低温の不純物のイオン化領域のことを議論している。原書該当部分"If the temperature is too low (or the impurity concentration too high)"
第29章 不均質な半導体
849ページ22行目
図29.6とあるが、訳書ではこれは掲載されていない。原書では載っていてThe density of holes along a p-n junction with V>0の曲線が描かれている。
第31章 反磁性と常磁性
905ページ16行目
誤: 3.フトンの第2規則
正: 3.フントの第2規則
補足: Hund's Second Rule.
908行目6行目から7行目
誤: 半分つまった殻の場合と異なり
正: 完全につまった殻の場合と異なり
第33章 磁気的秩序
993ページ式(33.65)
誤: \chi=\frac{\chi_{0}}{1-\lambda \chi_{0}}B
正: \chi=\frac{\chi_{0}}{1-\lambda \chi_{0}}
993ページ式(33.66)
誤: \chi=\frac{\chi_{0}}{1-(T_{c}/T)}B
正: \chi=\frac{\chi_{0}}{1-(T_{c}/T)}
Magnetism and Magnetic Materials (J. M. D. Coey, Cambridge)
4. Magnetism of localized electrons on the atom
114ページTable 4.6. Nd^{3+}のm_{eff}=g\sqrt(J(J+1))
誤: 3.52
正: 3.62
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